在半導(dǎo)體芯片、集成芯片的生產(chǎn)過程中，所有的電路器件都是要通過光刻工藝將電路布局結(jié)構(gòu)印制在硅晶圓上的。光刻工藝完成的質(zhì)量非常依賴硅晶圓的表面特性，硅晶圓表面的高低起伏、雜質(zhì)污染都會(huì)造成光刻工藝的缺陷，甚至造成產(chǎn)品報(bào)廢，為了保證產(chǎn)品質(zhì)量，化學(xué)機(jī)械拋光CMP成為了目前主流的拋光方法。而拋光液是完成CMP的主要力量

目前鉻離子拋光、銅離子拋光和二氧化硅膠體拋光這三種拋光方法都能投入使用，但最終獲得行業(yè) 地位的，只有二氧化硅膠體拋光，具體原因如下：

1、二氧化硅的硬度與硅的硬度相近

2、粒度細(xì)大約為90-110納米

因而拋光表面的損耗層極微小，能滿足大規(guī)模及超大規(guī)模集成電路的要求，因此，它已基本取代了另外的兩種化學(xué)機(jī)械拋光方法。

憑借這些優(yōu)勢(shì)，二氧化硅膠體拋光不僅能對(duì)單晶硅片進(jìn)行拋光，還能對(duì)層間介質(zhì)、絕緣體、導(dǎo)體、鑲嵌金屬、多晶硅、硅氧化物溝道等材料進(jìn)行平面化處理。在薄膜存貯磁盤、微電子機(jī)械系統(tǒng)陶瓷、磁頭、機(jī)械模具、精密閥門、光學(xué)玻璃、金屬材料等表面加工領(lǐng)域，也多有應(yīng)用。目前，二氧化硅膠體拋光已成為應(yīng)用最為廣泛的全局平面化技術(shù)，前景可謂一片大好。